2N6796

￥ 0

2N6796 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:

Microsemi（美高森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-205

描述:

N沟道MOSFET N-CHANNEL MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

2N6796 数据手册 (9 页)

封装尺寸在2 页 9 页

2N6796 数据手册 (9 页)

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2N6796 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-205

功耗

800mW (Ta), 25W (Tc)

漏源极电压(Vds)

100 V

额定功率(Max)

800 mW

耗散功率(Max)

800mW (Ta), 25W (Tc)

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2N6796 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Bulk

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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2N6796 符合标准

2N6796 概述

2N6796 数据手册

2N6796 数据手册

Microsemi（美高森美）

9 页 / 0.97 MByte

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Microsemi（美高森美）

9 页 / 0.26 MByte

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