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2N7000BU 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-226-3

描述:

2N7000BU 系列 60 V 5 Ohms N 沟道高级小信号 Mosfet TO-92

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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2N7000BU 数据手册 (5 页)

封装尺寸在3 页 4 页

2N7000BU 数据手册 (5 页)

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2N7000BU 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

3 Pin

封装

TO-226-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

5 Ω

功耗

400 mW

阈值电压

3.9 V

漏源极电压(Vds)

60 V

上升时间

10 ns

输入电容值(Ciss)

50pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

400 mW

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

400 mW

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2N7000BU 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Bulk

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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2N7000BU 符合标准

2N7000BU 概述

2N7000BU 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.14 MByte

2N7000BU 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

3 页 / 0.01 MByte

2N7000BU 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

3 页 / 0.5 MByte

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