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2N7000RLRA 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-92-3

描述:

小信号MOSFET 200毫安， 60伏N沟道TO- 92 200毫安60伏 Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts N−Channel TO−92 200 mAMPS 60 VOLTS

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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2N7000RLRA 数据手册 (8 页)

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2N7000RLRA 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

200 mA

封装

TO-92-3

漏源极电阻

5.00 Ω

极性

N-Channel

功耗

350mW (Tc)

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

200 mA

输入电容值(Ciss)

60pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

350 mW

耗散功率(Max)

350mW (Tc)

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2N7000RLRA 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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2N7000RLRA 符合标准

2N7000RLRA 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.73 MByte

2N7000RLRA 产品设计参考手册

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.45 MByte

2N7000RLRA 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

26 页 / 0.08 MByte

2N7000RLRA 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

3 页 / 0.05 MByte

2N7000RLRA 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

19 页 / 1.07 MByte

2N7000 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7000 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V

2N7000 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

小信号MOSFET 200毫安， 60伏N沟道TO- 92 Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts N-Channel TO-92

2N7000 数据手册

CJ（长电科技）

N沟道,60V,0.2A,6Ω@4.5V

2N7000 数据手册

Diotec Semiconductor

N沟道 60V 200A

2N7000 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS 2N7000 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 1.8 ohm, 4.5 V, 2.1 V

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