￥ 0.051

2N7000TA 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-92-3

描述:

ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET 2N7000TA, 200 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-92封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

2N7000TA 数据手册 (12 页)

查看文档

或点击图片查看大图

2N7000TA 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-92-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

5 Ω

功耗

400 mW

阈值电压

3.9 V

输入电容

20 pF

漏源极电压(Vds)

60 V

上升时间

10 ns

输入电容值(Ciss)

30pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

400 mW

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

400 mW

查看数据手册 >

2N7000TA 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5.2 mm

宽度

4.19 mm

高度

5.33 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

查看数据手册 >

2N7000TA 符合标准

2N7000TA 概述

2N7000TA 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

12 页 / 0.42 MByte

2N7000TA 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.13 MByte

2N7000TA 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

3 页 / 0.5 MByte

2N7000 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7000 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V

2N7000 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

小信号MOSFET 200毫安， 60伏N沟道TO- 92 Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts N-Channel TO-92

2N7000 数据手册

CJ（长电科技）

N沟道,60V,0.2A,6Ω@4.5V

2N7000 数据手册

Diotec Semiconductor

N沟道 60V 200A

2N7000 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS 2N7000 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 1.8 ohm, 4.5 V, 2.1 V

NTE Electronics

Luguang Electronic

Supertex（超科）

National Semiconductor（美国国家半导体）

N沟道增强型网络场效晶体管 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

2N7000 数据手册

Motorola（摩托罗拉）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号