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Datasheet 搜索 > MOS管 > Diodes(美台) > 2N7002DW-7-F Datasheet 文档
2N7002DW-7-F
器件3D模型
0.015
2N7002DW-7-F 数据手册 (6 页)
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2N7002DW-7-F 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
115 mA
封装
SC-70-6
针脚数
6 Position
漏源极电阻
13.5 Ω
极性
Dual N-Channel
功耗
200 mW
阈值电压
2 V
输入电容
50.0 pF
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
70.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
115 mA
正向电压(Max)
1.5 V
输入电容值(Ciss)
50pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
200 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
310 mW

2N7002DW-7-F 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.2 mm
宽度
1.35 mm
高度
1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

2N7002DW-7-F 数据手册

Diodes(美台)
6 页 / 0.3 MByte
Diodes(美台)
199 页 / 0.86 MByte
Diodes(美台)
6 页 / 0.37 MByte
Diodes(美台)
17 页 / 0.06 MByte
Diodes(美台)
1 页 / 0.13 MByte

2N7002DW7 数据手册

Diodes(美台)
Diodes(美台)
双N沟道增强型场效应晶体管小信号晶体管特点双N沟道MOSFET低导通电阻低栅极阈值电压低输入电容开关速度快吗低输入/输出漏超小型表面贴装封装
Multicomp
MULTICOMP  2N7002DW-7-F  场效应管, MOSFET, 双路N沟道, 60V, 4.4Ω, 115mA, SOT-363-6
Diodes Zetex(捷特科)
N 通道 MOSFET,Diodes Inc.### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes(美台)
场效应管(MOSFET) 2N7002DW-7-G SOT-363
Diodes(美台)
Vishay Semiconductor(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
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