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2N7002DWH6327XTSA1
器件3D模型
0.058
2N7002DWH6327XTSA1 数据手册 (9 页)
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2N7002DWH6327XTSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
SC-70-6
额定功率
0.5 W
针脚数
6 Position
漏源极电阻
1.6 Ω
极性
Dual N-Channel
功耗
500 mW
阈值电压
2.1 V
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
0.3A
上升时间
3.3 ns
输入电容值(Ciss)
13pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
500 mW
下降时间
3.1 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
500 mW

2N7002DWH6327XTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2 mm
宽度
1.25 mm
高度
0.8 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

2N7002DWH6327XTSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.43 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
19 页 / 0.88 MByte

2N7002DWH6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
60V,0.3A,双N沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  2N7002DW H6327  场效应管, MOSFET, 双路, N沟道, 60V, 0.3A, SOT-363-6
Infineon(英飞凌)
INFINEON  2N7002DWH6327XTSA1  场效应管, MOSFET, 双路, N沟道, 60V, 0.3A, SOT-363-6
Infineon(英飞凌)
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