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2N7002E-T1-E3
0.027
2N7002E-T1-E3 数据手册 (7 页)
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2N7002E-T1-E3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
3 Ω
极性
N-Channel
功耗
0.35 W
阈值电压
2 V
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
70.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
240 mA
输入电容值(Ciss)
21pF @5V(Vds)
额定功率(Max)
350 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
350 mW

2N7002E-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
最小包装数量
3000

2N7002E-T1-E3 数据手册

VISHAY(威世)
7 页 / 0.14 MByte
VISHAY(威世)
8 页 / 0.17 MByte

2N7002ET1 数据手册

VISHAY(威世)
Vishay Siliconix
2N7002E-T1 N沟道MOSFET 60V 240mA/0.24A SOT-23/SC-59 marking/标记 7ES 低漏源导通电阻
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  2N7002ET1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 310 mA, 60 V, 0.86 ohm, 10 V, 1 V
VISHAY(威世)
2N7002E-T1-E3 编带
VISHAY(威世)
N沟道,Vdss=60V,Idss=240mA
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  2N7002E-T1-E3  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 240mA TO-236, 整卷
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
N沟道60 V (D -S )的MOSFET N-Channel 60 V (D-S) MOSFET
Vishay Intertechnology
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