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2N7002K-T1-E3
0.019
2N7002K-T1-E3 数据手册 (9 页)
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2N7002K-T1-E3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
7.5 Ω
极性
N-Channel
功耗
0.35 W
阈值电压
2 V
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
70.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
115 mA
正向电压(Max)
1.3 V
输入电容值(Ciss)
30pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
350 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
工作结温
-55℃ ~ 150℃
耗散功率(Max)
350 mW

2N7002K-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3.04 mm
宽度
1.4 mm
高度
1.02 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃
最小包装数量
3000

2N7002K-T1-E3 数据手册

VISHAY(威世)
9 页 / 0.2 MByte
VISHAY(威世)
9 页 / 0.23 MByte

2N7002KT1 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
N通道60 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  2N7002K / T1  晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.5 V
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY(威世)
VISHAY(威世)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  2N7002KT1G.  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 380mA SOT-23
VISHAY(威世)
60V,0.3A,N沟道MOSFET
VISHAY(威世)
N沟道MOSFET 60V 300mA SOT-23 代码 7K 坚固
Vishay Siliconix
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