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2N7002PW,115 数据手册 - Nexperia（安世）

制造商:

Nexperia（安世）

分类:

MOS管

封装:

SOT-323-3

描述:

Nexperia Si N沟道 MOSFET 2N7002PW,115, 310 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-323 (SC-70)封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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2N7002PW,115 数据手册 (16 页)

引脚图在3 页Hot

封装尺寸在11 页

2N7002PW,115 数据手册 (16 页)

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2N7002PW,115 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-323-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

1 Ω

功耗

260 mW

阈值电压

1.75 V

输入电容

30 pF

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60 V

上升时间

4 ns

输入电容值(Ciss)

50pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

260 mW

下降时间

5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

260mW (Ta)

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2N7002PW,115 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.2 mm

宽度

1.35 mm

高度

1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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2N7002PW,115 符合标准

2N7002PW,115 概述

2N7002PW,115 数据手册

Nexperia（安世）

16 页 / 0.26 MByte

2N7002PW,115 产品设计参考手册

Nexperia（安世）

61 页 / 8.34 MByte

2N7002PW,115 其他数据使用手册

Nexperia（安世）

206 页 / 0.21 MByte

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