2SA1952-Q 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -100V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −60V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| -5A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 80MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 120~270 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -300mV/-0.3V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 1W Description & Applications| High-speed Switching Transistor Features 1) High speed switching. (tf : Typ. 0.15 µs at IC = −3A) 2) Low VCE(sat). (Typ. −0.2V at IC / IB = −3 / −0.15A) 3) Wide SOA. (safe operating area) 4) Complements the 2SC5103 / 2SC5525. 描述与应用| 高速开关晶体管 特点 1）高速开关。 （TF：平均值0.15μs在IC=-3A） 2）低VCE（sat）的。 （平均值0.2V IC / IB= -3/-0.15A） 3）宽SOA。 （安全工作区） 4）补充/2SC5525，2SC5103