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2SA1962OTU
1.502
2SA1962OTU 数据手册 (6 页)
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2SA1962OTU 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
30 MHz
引脚数
3 Pin
封装
TO-3-3
极性
PNP
功耗
130 W
击穿电压(集电极-发射极)
250 V
集电极最大允许电流
17A
最小电流放大倍数
80 @1A, 5V
额定功率(Max)
130 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-50 ℃
耗散功率(Max)
130000 mW

2SA1962OTU 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
高度
19.9 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

2SA1962OTU 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.46 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
13 页 / 0.57 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
4 页 / 0.62 MByte

2SA1962 数据手册

Toshiba(东芝)
ON Semiconductor(安森美)
Toshiba(东芝)
Fairchild(飞兆/仙童)
2SA1962 系列 250 V CE 击穿 17 A PNP 外延硅 晶体管 TO-3P
ON Semiconductor(安森美)
2SA1962 系列 250 V CE 击穿 17 A PNP 外延 硅 晶体管 TO-3P
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor
Toshiba(东芝)
Toshiba(东芝)
Toshiba(东芝)
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