2SB1132 T100P 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | -40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | −32V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | -1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 150MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 82~180 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage | −500mV/-0.5V 耗散功率PcPoWer Dissipation | 500mW/0.5W Description & Applications | Medium Power Transistor Features 1) Low VCE(sat). 2)Complementary 2SD1664 描述与应用 | 中等功率晶体管 特点 1）低VCE（sat）的。 2）互补型2SD1664