2SB1182T201R 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −32V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| -2A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 180~390 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| −800mV/-0.8V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| PNP Silicon epitaxial planar transistor Medium power Transistor Features 1) Low VCE(sat). 2) Complements the 2SD1758 描述与应用| PNP硅外延平面晶体管 中等功率晶体管 特点 1）低VCE（sat）的。 2）补充2SD1758