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2SB1182TLQ 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-252-3

描述:

ROHM 2SB1182TLQ 单晶体管双极, PNP, 32 V, 100 MHz, 1 W, 2 A, 82 hFE

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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2SB1182TLQ 数据手册 (4 页)

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2SB1182TLQ 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

100 MHz

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-32.0 V

额定电流

-2.00 A

封装

TO-252-3

额定功率

10 W

针脚数

3 Position

极性

PNP, P-Channel

功耗

1 W

击穿电压(集电极-发射极)

32 V

集电极最大允许电流

最小电流放大倍数

120 @500mA, 3V

最大电流放大倍数

390

额定功率(Max)

10 W

直流电流增益(hFE)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

10000 mW

查看数据手册 >

2SB1182TLQ 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.5 mm

宽度

5.5 mm

高度

2.3 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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2SB1182TLQ 符合标准

2SB1182TLQ 海关信息

2SB1182TLQ 概述

2SB1182TLQ 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

4 页 / 0.14 MByte

2SB1182TLQ 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

4 页 / 0.1 MByte

2SB1182TLQ 其他参考文件

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