2SB1184-Q 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −50V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| -3A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 70MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 120~270 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -1000mV/-1V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| PNP Silicon epitaxial planar transistor Medium power Transistor Features 1) Low VCE(sat). 2) Complements the 2SD1760 描述与应用| PNP硅外延平面晶体管 中等功率晶体管 特点 1）低VCE（sat）的。 2）补充2SD1760