2SB1197K T146S 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | -40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | −32V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | -800mA/-0.8A 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 200MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 270~560 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage | −500mV/-0.5V 耗散功率PcPoWer Dissipation | 200mW/0.2W Description & Applications | PNP Silicon epitaxial planar transistor Low Frequency Transistor Features 1) Low VCE(sat) 2) Complements to 2SD1781K 描述与应用 | PNP硅外延平面晶体管 低频晶体管 特点 1）低VCE（SAT） 2）补充型2SD1781K