2SB1198K T146Q 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -80V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −80V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −500mA/-0.5A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 180MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 120~270 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| −500mV/-0.5V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| PNP Silicon epitaxial planar transistor Low Frequency Transistor Features Low VCE(sat) High breakdown voltage. Complements to 2SD1782K. 描述与应用| PNP硅外延平面晶体管 低频晶体管 特点 低VCE（六） 高击穿电压。 补充型2SD1782K。