￥ 0.07

2SB1260T100R 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

双极性晶体管

封装:

MPT-3

描述:

功率晶体管（ ???? 80V ，Ⅰ ???? 1A） Power Transistor (â80V, â1A)

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

2SB1260T100R 数据手册 (8 页)

查看文档

或点击图片查看大图

2SB1260T100R 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

100 MHz

引脚数

4 Pin

额定电压(DC)

-80.0 V

额定电流

-1.00 A

封装

MPT-3

极性

PNP

功耗

2 W

击穿电压(集电极-发射极)

80 V

集电极最大允许电流

最小电流放大倍数

180 @100mA, 3V

最大电流放大倍数

390

额定功率(Max)

2 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2000 mW

查看数据手册 >

2SB1260T100R 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

150℃ (TJ)

查看数据手册 >

2SB1260T100R 符合标准

2SB1260T100R 海关信息

2SB1260T100R 概述

2SB1260T100R 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

8 页 / 0.38 MByte

2SB1260T100R 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

20 页 / 0.13 MByte

2SB1260T100R 其他参考文件

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

1 页 / 0.12 MByte

2SB1260T100 数据手册

2SB1260T100R 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

功率晶体管（ ???? 80V ，Ⅰ ???? 1A） Power Transistor (â80V, â1A)

2SB1260T100Q 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

2SB1260 系列 80 V 1 A 表面贴装 PNP 电源晶体管 - SC-62

2SB1260 T100R 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

PNP三极管 -80V -1A 100MHz 180~390 -400mV SOT-89 代码 BER 高击穿电压

2SB1260 T100Q 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

PNP三极管 -80V -1A 100MHz 120~270 -400mV SOT-89 代码 BEQ 高击穿电压

2SB1260T100P 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

2SB1260 T100P 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

PNP三极管 -80V -1A 100MHz 82~180 -400mV SOT-89 代码 BEP 高击穿电压

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号