2SB1424 T100R 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | −20V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | −20V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | -3A 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 240MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 180~390 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage | −500mV/-0.5V 耗散功率PcPoWer Dissipation | 600mW/0.6W Description & Applications | PNP Silicon epitaxial planar transistor Low frequency transistor Features 1) Low VCE(sat) 2) Excellent DC current gain characteristics. 3) Complements the 2SD2150. 描述与应用 | PNP硅外延平面晶体管 低频晶体管 特点 1）低VCE（SAT） 2）优秀DC电流增益特性。 3）补充2SD2150。