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2SC2712GT1G
器件3D模型
0.027
2SC2712GT1G 数据手册 (3 页)
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2SC2712GT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SC-59-3
极性
NPN
功耗
200 mW
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
0.15A
最小电流放大倍数
200
工作温度(Max)
150 ℃

2SC2712GT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.9 mm
宽度
1.5 mm
高度
1.09 mm

2SC2712GT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.1 MByte
ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.12 MByte

2SC2712GT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
中频NPN晶体管放大器50 V 200毫安, 80兆赫 Medium Frequency NPN Amplifier Transistor 50 V, 200 mA, 80 MHz
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