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2SC3357-A
1.278
2SC3357-A 数据手册 (8 页)
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2SC3357-A 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
TO-243
击穿电压(集电极-发射极)
12 V
增益
9 dB
最小电流放大倍数
50 @20mA, 10V
额定功率(Max)
1.2 W

2SC3357-A 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
工作温度
150℃ (TJ)

2SC3357-A 数据手册

California Eastern Laboratories
8 页 / 1.32 MByte
California Eastern Laboratories
7 页 / 0.21 MByte

2SC3357 数据手册

NEC(日本电气)
2SC3357 NPN三极管 20V 100mA/0.1A 6.5Ghz 50~100 10V SOT-89 marking/标记 RH 低噪声放大器
Renesas Electronics(瑞萨电子)
NPN外延硅晶体管RF高频低噪声放大3 - pin电源MINIMOLD NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD
Inchange Semiconductor
NEC(日本电气)
2SC3357-T1 编带
California Eastern Laboratories
Renesas Electronics(瑞萨电子)
California Eastern Laboratories
SLKOR(韩国萨科微)
三极管
NEC(日本电气)
NEC(日本电气)
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