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2SC3357-T1-A
1.522
2SC3357-T1-A 数据手册 (8 页)
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2SC3357-T1-A 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
封装
TO-243
功耗
1200 mW
击穿电压(集电极-发射极)
12 V
增益
10 dB
最小电流放大倍数
50 @20mA, 10V
额定功率(Max)
1.2 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
1200 mW

2SC3357-T1-A 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
工作温度
150℃ (TJ)

2SC3357-T1-A 数据手册

California Eastern Laboratories
8 页 / 1.32 MByte
California Eastern Laboratories
7 页 / 0.21 MByte
California Eastern Laboratories
7 页 / 0.07 MByte

2SC3357T1 数据手册

NEC(日本电气)
2SC3357-T1 编带
Renesas Electronics(瑞萨电子)
NPN外延硅晶体管RF高频低噪声放大3 - pin电源MINIMOLD NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD
California Eastern Laboratories
Renesas Electronics(瑞萨电子)
California Eastern Laboratories
Renesas Electronics(瑞萨电子)
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