2SC4116-GR 数据手册 - Toshiba（东芝）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 50V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 150mA/0.15A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 80MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 200~400 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 100mV/0.1V 耗散功率PcPower Dissipation| 100mW/0.1W Description & Applications| TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications High voltage and high current: VCEO = 50 V, IC = 150 mA Excellent hFE linearity: hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA) = 0.95 High hFE: hFE = 70-700 Low noise: NF = 1dB (typ.), 10dB Complementary to 2SA1586 Small package 描述与应用| 东芝晶体管的硅NPN外延式（PCT的进程） 音频通用放大器应用 高电压和高电流：VCEO=50 V，IC=150毫安 优秀HFE线性：HFE（IC= 0.1毫安）/ HFE（IC= 2毫安）= 0.95 高HFE：HFE=70-700 低噪音：NF=1分贝（典型值），10分贝 与2SA1586互补 小型封装