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2SC5200N(S1,E,S)
0.581
2SC5200N(S1,E,S) 数据手册 (6 页)
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2SC5200N(S1,E,S) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
30 MHz
引脚数
3 Pin
封装
TO-3-3
极性
NPN
功耗
150 W
击穿电压(集电极-发射极)
230 V
集电极最大允许电流
15A
最小电流放大倍数
35
最大电流放大倍数
160
额定功率(Max)
150 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
150 W

2SC5200N(S1,E,S) 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
15.5 mm
宽度
4.5 mm
高度
20 mm
工作温度
150℃ (TJ)

2SC5200N(S1,E,S) 数据手册

Toshiba(东芝)
6 页 / 0.14 MByte

2SC5200NS1 数据手册

Toshiba(东芝)
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