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2SC5200-O(Q)
1.052
2SC5200-O(Q) 数据手册 (8 页)
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2SC5200-O(Q) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
30 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
230 V
额定电流
15.0 A
封装
TO-3-3
极性
NPN
功耗
150 W
击穿电压(集电极-发射极)
230 V
集电极最大允许电流
15A
最小电流放大倍数
80 @1A, 5V
最大电流放大倍数
160
额定功率(Max)
150 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
150000 mW

2SC5200-O(Q) 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
材质
Silicon
长度
20.5 mm
宽度
5.2 mm
高度
26 mm
工作温度
150℃ (TJ)

2SC5200-O(Q) 数据手册

Toshiba(东芝)
8 页 / 0.14 MByte
Toshiba(东芝)
5 页 / 0.19 MByte
Toshiba(东芝)
4 页 / 0.14 MByte
Toshiba(东芝)
1 页 / 0.17 MByte

2SC5200 数据手册

Toshiba(东芝)
Micro Commercial Components(美微科)
Toshiba(东芝)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 230V 15A
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  2SC5200OTU  单晶体管 双极, NPN, 250 V, 30 MHz, 150 W, 17 A, 80 hFE
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor 2SC5200OTU , NPN 晶体管, 17 A, Vce=250 V, HFE:55, 30 MHz, 3引脚 TO-264封装
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor
Toshiba(东芝)
NPN 功率晶体管,Toshiba### 双极晶体管,Toshiba
Toshiba(东芝)
NPN 功率晶体管,Toshiba### 双极晶体管,Toshiba
Toshiba(东芝)
ON Semiconductor(安森美)
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