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2SC5242-O(Q)
1.945
2SC5242-O(Q) 数据手册 (5 页)
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2SC5242-O(Q) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
30 MHz
额定电压(DC)
230 V
额定电流
15.0 A
封装
TO-3-3
极性
NPN
功耗
130 W
击穿电压(集电极-发射极)
230 V
集电极最大允许电流
15A
最小电流放大倍数
80 @1A, 5V
最大电流放大倍数
160
额定功率(Max)
130 W

2SC5242-O(Q) 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
宽度
15.9 mm
工作温度
150℃ (TJ)

2SC5242-O(Q) 数据手册

Toshiba(东芝)
5 页 / 0.17 MByte
Toshiba(东芝)
4 页 / 0.12 MByte
Toshiba(东芝)
1 页 / 0.17 MByte

2SC5242 数据手册

Toshiba(东芝)
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor
SavantIC Semiconductor
Inchange Semiconductor
Toshiba(东芝)
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor
ON Semiconductor(安森美)
单晶体管 双极, NPN, 250 V, 30 MHz, 130 W, 17 A, 80 hFE
Toshiba(东芝)
ON Semiconductor(安森美)
2SC5242RTU 停产 管装
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