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2SC5508-A
1.253
2SC5508-A 数据手册 (10 页)
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2SC5508-A 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOT-343
功耗
115 mW
击穿电压(集电极-发射极)
3.3 V
增益
19 dB
最小电流放大倍数
50 @5mA, 2V
额定功率(Max)
115 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
115 mW

2SC5508-A 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
材质
Silicon
工作温度
150℃ (TJ)

2SC5508-A 数据手册

California Eastern Laboratories
10 页 / 0.64 MByte
California Eastern Laboratories
7 页 / 0.21 MByte

2SC5508 数据手册

NEC(日本电气)
2SC5508 NPN三极管 15V 35mA 25GHz 50~100 SOT-343 marking/标记 T79 低噪声高增益放大
Renesas Electronics(瑞萨电子)
NPN硅射频晶体管低噪声,高增益放大 NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW-NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION
NXP(恩智浦)
Renesas Electronics(瑞萨电子)
NPN硅射频晶体管低噪声,高增益放大 NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW-NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION
California Eastern Laboratories
NEC(日本电气)
Renesas Electronics(瑞萨电子)
2SC5508-T2B
Renesas Electronics(瑞萨电子)
NPN硅射频晶体管低噪声,高增益放大 NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW-NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION
California Eastern Laboratories
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