￥ 0.06

2SC5508-T2B-A 数据手册 - Renesas Electronics（瑞萨电子）

制造商:

Renesas Electronics（瑞萨电子）

封装:

MO-4

描述:

NPN硅射频晶体管低噪声，高增益放大 NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW-NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

2SC5508-T2B-A 数据手册 (10 页)

引脚图在8 页Hot

封装尺寸在8 页

2SC5508-T2B-A 数据手册 (10 页)

查看文档

或点击图片查看大图

2SC5508-T2B-A 技术参数、封装参数

类型

描述

封装

MO-4

查看数据手册 >

2SC5508-T2B-A 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

查看数据手册 >

2SC5508-T2B-A 符合标准

2SC5508-T2B-A 数据手册

Renesas Electronics（瑞萨电子）

10 页 / 0.64 MByte

2SC5508-T2B-A 其他数据使用手册

Renesas Electronics（瑞萨电子）

2 页 / 0.21 MByte

2SC5508T2 数据手册

2SC5508-T2 数据手册

NEC（日本电气）

2SC5508-T2B-A 数据手册

Renesas Electronics（瑞萨电子）

NPN硅射频晶体管低噪声，高增益放大 NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW-NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION

2SC5508-T2-A 数据手册

California Eastern Laboratories

2SC5508-T2B 数据手册

Renesas Electronics（瑞萨电子）

2SC5508-T2B

2SC5508-T2-A 数据手册

Renesas Electronics（瑞萨电子）

NPN硅射频晶体管低噪声，高增益放大 NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW-NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号