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2SD1266AP
2.557
2SD1266AP 数据手册 (3 页)
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2SD1266AP 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
80.0 V
额定电流
3.00 A
封装
TO-220-3
极性
NPN
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
集电极最大允许电流
3A
最小电流放大倍数
120 @1A, 4V
额定功率(Max)
2 W

2SD1266AP 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Bulk
工作温度
150℃ (TJ)

2SD1266AP 数据手册

Panasonic(松下)
3 页 / 0.23 MByte

2SD1266 数据手册

Panasonic(松下)
PNP硅外延平面型(对于低频功率放大) Silicon PNP epitaxial planar type(For low-frequency power amplification)
SavantIC Semiconductor
Panasonic(松下)
硅NPN三重扩散平面类型(功率放大) Silicon NPN triple diffusion planar type(For power amplification)
Panasonic(松下)
Panasonic(松下)
SavantIC Semiconductor
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