2SD1664 T100Q 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 32V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 150MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 120~270 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 150mV/0.15V 耗散功率PcPower Dissipation | 500mW/0.5W Description & Applications | Medium Power Transistor (32V, 1A) Features

●Low VCE(sat), VCE(sat) = 0.15V (typical). (IC /IB = 500mA/50mA)

● Complements the 2SB1132 / 2SB1237. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 描述与应用 | 中等功率晶体管（32V，1A） 特点

●低VCE（sat）的，VCE（饱和）=0.15V。 （IC / IB500mA/50mA）

●补充 2SB1132/2SB1237。 结构 外延平面型 NPN硅晶体管