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2SD1802T-E
0.42
2SD1802T-E 数据手册 (7 页)
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2SD1802T-E 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
150 MHz
引脚数
3 Pin
封装
TO-251-3
极性
NPN
功耗
1 W
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
5A
最小电流放大倍数
200 @100mA, 2V
额定功率(Max)
1 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1000 mW

2SD1802T-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
材质
Silicon
工作温度
150℃ (TJ)

2SD1802T-E 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.1 MByte
ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.48 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.26 MByte

2SD1802 数据手册

CJ(长电科技)
2SD1802 R档100-200 编带
Sanyo Semiconductor(三洋)
ON Semiconductor(安森美)
Galaxy Semi-Conductor
UTC(友顺)
Transys Electronics
Jiangsu Changjiang Electronics Technology
Yangzhou Yangjie Electronic
ON Semiconductor(安森美)
通用 PNP 晶体管,超过 1A,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
ON Semiconductor(安森美)
双极晶体管 Bipolar Transistor
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