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2SD1858TV2R 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

双极性晶体管

封装:

SIP-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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2SD1858TV2R 数据手册 (4 页)

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2SD1858TV2R 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

额定电压(DC)

32.0 V

额定电流

1.00 A

封装

SIP-3

极性

NPN

功耗

2000 mW

增益频宽积

150 MHz

击穿电压(集电极-发射极)

32 V

集电极最大允许电流

最小电流放大倍数

180 @100mA, 3V

最大电流放大倍数

180 @100mA, 3V

额定功率(Max)

1 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

1 W

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2SD1858TV2R 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape

长度

6.8 mm

宽度

2.5 mm

高度

4.4 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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2SD1858TV2R 符合标准

2SD1858TV2R 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

4 页 / 0.13 MByte

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