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2SD2114KT146W 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

双极性晶体管

封装:

SOT-23-3

描述:

NPN 小信号晶体管，Rohm### 双极晶体管，ROHM

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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2SD2114KT146W 数据手册 (5 页)

封装尺寸在1 页

2SD2114KT146W 数据手册 (5 页)

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2SD2114KT146W 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

350 MHz

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

20.0 V

额定电流

500 mA

封装

SOT-23-3

额定功率

0.2 W

极性

NPN

功耗

0.2 W

增益频宽积

350 MHz

击穿电压(集电极-发射极)

20 V

集电极最大允许电流

0.5A

最小电流放大倍数

820

最大电流放大倍数

1200 @10mA, 3V

额定功率(Max)

200 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

200 mW

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2SD2114KT146W 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

2.9 mm

宽度

1.8 mm

高度

1.2 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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2SD2114KT146W 符合标准

2SD2114KT146W 概述

2SD2114KT146W 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

5 页 / 0.08 MByte

2SD2114KT146W 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

7 页 / 1.31 MByte

2SD2114KT146W 其他参考文件

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

1 页 / 0.12 MByte

2SD2114KT146 数据手册

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*高直流电流增益。HFE=1200*高发射基地电压。VEBO=12V（最小值）*低VCE（SAT）。VCE（饱和）=0.18V（IC/ IB=500mA/20毫安的）结构外延平面型NPN硅transisto的

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