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2SD2170T100 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

双极性晶体管

封装:

SOT-89-3

描述:

2SD2170T100 编带

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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封装尺寸在1 页

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2SD2170T100 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

额定电压(DC)

90.0 V

额定电流

2.00 A

封装

SOT-89-3

极性

NPN

功耗

500 mW

击穿电压(集电极-发射极)

90 V

集电极最大允许电流

最小电流放大倍数

1000 @1A, 2V

最大电流放大倍数

1000

额定功率(Max)

2 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2 W

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2SD2170T100 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

4.5 mm

宽度

2.5 mm

高度

1.5 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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2SD2170T100 符合标准

2SD2170T100 概述

2SD2170T100 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

1 页 / 0.05 MByte

2SD2170T100 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

20 页 / 0.13 MByte

2SD2170T100 其他参考文件

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

1 页 / 0.12 MByte

2SD2170 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

2SD2170 达林顿NPN Vcbo=90V Vces=90v Ic=2A HEF=1000~10000 代码/MARKING DM

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