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￥ 0.167

2SD2351T106W 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

双极性晶体管

封装:

SC-70-3

描述:

ROHM 2SD2351T106W 单晶体管双极, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 50 mA, 820 hFE

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

2SD2351T106W 数据手册 (11 页)

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2SD2351T106W 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

250 MHz

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

50.0 V

额定电流

150 mA

封装

SC-70-3

针脚数

3 Position

极性

NPN

功耗

200 mW

击穿电压(集电极-发射极)

50 V

集电极最大允许电流

0.15A

最小电流放大倍数

820

最大电流放大倍数

2700

额定功率(Max)

200 mW

直流电流增益(hFE)

820

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

200 mW

查看数据手册 >

2SD2351T106W 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2 mm

宽度

1.35 mm

高度

0.9 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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2SD2351T106W 符合标准

2SD2351T106W 概述

2SD2351T106W 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

11 页 / 0.61 MByte

2SD2351T106W 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

9 页 / 1.16 MByte

2SD2351T106W 其他参考文件

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

1 页 / 0.12 MByte

2SD2351T106 数据手册

2SD2351T106W 数据手册

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ROHM 2SD2351T106W 单晶体管双极, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 50 mA, 820 hFE

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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

ROHM 2SD2351T106V 单晶体管双极, 高速, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 150 mA, 820 hFE

2SD2351 T106V 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

通用晶体管（50V，0.15A）特点1）高DC电流增益。2）高发射基地电压。（VCBO12V）3）低饱和电压。（典型值VCE（sat）=0.3V IC / IB=50mA/5mA）

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