￥ 4.989

2SJ352-E 数据手册 - Renesas Electronics（瑞萨电子）

制造商:

Renesas Electronics（瑞萨电子）

分类:

MOS管

封装:

TO-3-3

描述:

硅P沟道MOS场效应晶体管 Silicon P Channel MOS FET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

2SJ352-E 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页

2SJ352-E 数据手册 (8 页)

查看文档

或点击图片查看大图

2SJ352-E 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-200 V

额定电流

-8.00 A

封装

TO-3-3

输入电容

800 pF

漏源极电压(Vds)

200 V

连续漏极电流(Ids)

8.00 A

输入电容值(Ciss)

800pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

100 W

查看数据手册 >

2SJ352-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃

查看数据手册 >

2SJ352-E 符合标准

2SJ352-E 数据手册

Renesas Electronics（瑞萨电子）

8 页 / 0.08 MByte

2SJ352 数据手册

HITACHI（日立）

2SJ352-E 数据手册

Renesas Electronics（瑞萨电子）

硅P沟道MOS场效应晶体管 Silicon P Channel MOS FET

2SJ352E 数据手册

Renesas Electronics（瑞萨电子）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号