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2SK1317-E 数据手册 - Renesas Electronics（瑞萨电子）

制造商:

Renesas Electronics（瑞萨电子）

分类:

MOS管

封装:

TO-3-3

描述:

RENESAS 2SK1317-E 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 1.5 kV, 12 ohm, 15 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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2SK1317-E 数据手册 (7 页)

封装尺寸在6 页

2SK1317-E 数据手册 (7 页)

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2SK1317-E 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-3-3

额定功率

100 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

12 Ω

极性

N-Channel

功耗

100 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

1500 V

连续漏极电流(Ids)

2.50 A

上升时间

70 ns

输入电容值(Ciss)

990pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

100 W

下降时间

60 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

100W (Tc)

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2SK1317-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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2SK1317-E 符合标准

2SK1317-E 概述

2SK1317-E 数据手册

Renesas Electronics（瑞萨电子）

7 页 / 0.08 MByte

2SK1317-E 其他数据使用手册

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7 页 / 0.07 MByte

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