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2SK3018 T106
0.014
2SK3018 T106 数据手册 (4 页)
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2SK3018 T106 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
100 mA
封装
SOT-323
漏源极电阻
7.00 Ω
极性
N-Channel
功耗
200 mW
漏源极电压(Vds)
30.0 V
漏源击穿电压
30.0 V
连续漏极电流(Ids)
100 mA
上升时间
35.0 ns

2SK3018 T106 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Cut Tape (CT)

2SK3018 T106 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
4 页 / 0.15 MByte

2SK3018 数据手册

CJ(长电科技)
N沟道,30V,0.1A,8Ω@4V
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
2SK3018 N沟道MOSFET 30V 100mA/0.1A SOT-323/SC-70/UMT3 marking/标记 KN 低导通电阻/高速度开关/低电压驱动
SLKOR(韩国萨科微)
N沟道 30V 100mA
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  2SK3018T106  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 mA, 30 V, 8 ohm, 4 V, 1.5 V
Micro Commercial Components(美微科)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
MOS场效应管 2SK3018 T106 SC-70(SOT-323) N沟道,30V,100mA,8Ω@4V
CJ(长电科技)
MOS场效应管 2SK3018 KN SC-70(SOT-323) N沟道,30V,100mA,8Ω@4V
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
2.5V驱动N沟道MOS FET 2.5V Drive Nch MOS FET
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