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Datasheet 搜索 > 接口芯片 > ADI(亚德诺) > ADG636YRU-REEL Datasheet 文档
ADG636YRU-REEL
器件3D模型
2.943
ADG636YRU-REEL 数据手册 (16 页)
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ADG636YRU-REEL 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
14 Pin
封装(公制)
SOP
封装
TSSOP-14
触点类型
SPDT
供电电流
1 nA
电路数
2 Circuit
位数
2 Bit
功耗
10.0 µW
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
3dB带宽
610 MHz

ADG636YRU-REEL 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5 mm
宽度
4.4 mm
高度
1 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃ (TA)

ADG636YRU-REEL 数据手册

ADI(亚德诺)
16 页 / 0.48 MByte
ADI(亚德诺)
20 页 / 0.43 MByte
ADI(亚德诺)
7 页 / 0.71 MByte

ADG636 数据手册

ADI(亚德诺)
1 pC的电荷注入, 100 pA的泄漏CMOS 5V / + 5V / + 3 V双通道单刀双掷开关 1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage CMOS 5 V/+5 V/+3 V Dual SPDT Switch
ADI(亚德诺)
ANALOG DEVICES  ADG636YRUZ  模拟开关, 双通道, SPDT, 2 放大器, 115 ohm, ± 2.7V 至 ± 5.5V, TSSOP, 14 引脚
ADI(亚德诺)
2-电路-IC-开关-2:1-115-欧姆-14-TSSOP
ADI(亚德诺)
模拟开关 IC 2:1 400MHz 2.2 Ohm CMOS Dual SPDT
ADI(亚德诺)
1 pC的电荷注入, 100 pA的泄漏CMOS 5V / + 5V / + 3 V双通道单刀双掷开关 1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage CMOS 5 V/+5 V/+3 V Dual SPDT Switch
ADI(亚德诺)
1 pC的电荷注入, 100 pA的泄漏, CMOS , ±5 V / 5 V / 3 V双通道单刀双掷开关 1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, CMOS, ±5 V/5 V/3 V Dual SPDT Switch
ADI(亚德诺)
ADI(亚德诺)
1 pC的电荷注入, 100 pA的泄漏, CMOS , ±5 V / 5 V / 3 V双通道单刀双掷开关 1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, CMOS, ±5 V/5 V/3 V Dual SPDT Switch
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