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ADG636YRUZ
器件3D模型
3.332
ADG636YRUZ 数据手册 (16 页)
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ADG636YRUZ 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
14 Pin
电源电压
5.50V (max)
封装(公制)
SOP
封装
TSSOP-14
输出接口数
4 Output
触点类型
SPDT
供电电流
1 nA
电路数
2 Circuit
通道数
2 Channel
针脚数
14 Position
漏源极电阻
85.0 Ω
位数
2 Bit
功耗
0.00001 W
带宽
610 MHz
输入数
2 Input
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
3dB带宽
610 MHz
耗散功率(Max)
0.01 mW
电源电压(Max)
5.5 V
电源电压(Min)
2.7 V

ADG636YRUZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
5 mm
宽度
4.4 mm
高度
1 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃ (TA)

ADG636YRUZ 数据手册

ADI(亚德诺)
16 页 / 0.48 MByte
ADI(亚德诺)
17 页 / 0.24 MByte
ADI(亚德诺)
1 页 / 0.14 MByte

ADG636 数据手册

ADI(亚德诺)
1 pC的电荷注入, 100 pA的泄漏CMOS 5V / + 5V / + 3 V双通道单刀双掷开关 1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage CMOS 5 V/+5 V/+3 V Dual SPDT Switch
ADI(亚德诺)
ANALOG DEVICES  ADG636YRUZ  模拟开关, 双通道, SPDT, 2 放大器, 115 ohm, ± 2.7V 至 ± 5.5V, TSSOP, 14 引脚
ADI(亚德诺)
2-电路-IC-开关-2:1-115-欧姆-14-TSSOP
ADI(亚德诺)
模拟开关 IC 2:1 400MHz 2.2 Ohm CMOS Dual SPDT
ADI(亚德诺)
1 pC的电荷注入, 100 pA的泄漏CMOS 5V / + 5V / + 3 V双通道单刀双掷开关 1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage CMOS 5 V/+5 V/+3 V Dual SPDT Switch
ADI(亚德诺)
1 pC的电荷注入, 100 pA的泄漏, CMOS , ±5 V / 5 V / 3 V双通道单刀双掷开关 1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, CMOS, ±5 V/5 V/3 V Dual SPDT Switch
ADI(亚德诺)
ADI(亚德诺)
1 pC的电荷注入, 100 pA的泄漏, CMOS , ±5 V / 5 V / 3 V双通道单刀双掷开关 1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, CMOS, ±5 V/5 V/3 V Dual SPDT Switch
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