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ADN2850BCPZ250
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ADN2850BCPZ250 数据手册 (30 页)
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ADN2850BCPZ250 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
16 Pin
电源电压
2.70V (min)
容差
±8 %
封装
LFCSP-16
供电电流
0.002 mA
电路数
2 Circuit
针脚数
16 Position
电阻
250 kΩ
阻值偏差
±8 %
静态电流
3.50 µA
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压(Max)
5.5 V
电源电压(Min)
2.7 V

ADN2850BCPZ250 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tray
长度
5.1 mm
宽度
5.1 mm
高度
0.84 mm
工作温度
-40℃ ~ 85℃
温度系数
±35 ppm/℃

ADN2850BCPZ250 数据手册

ADI(亚德诺)
30 页 / 0.68 MByte
ADI(亚德诺)
24 页 / 0.9 MByte
ADI(亚德诺)
28 页 / 2.1 MByte
ADI(亚德诺)
4 页 / 0.06 MByte

ADN2850 数据手册

ADI(亚德诺)
非易失性内存,双通道1024位可编程电阻器 Nonvolatile Memory, Dual 1024 Position Programmable Resistors
ADI(亚德诺)
ANALOG DEVICES  ADN2850BCPZ250  非易失性数字电位器, 250 kohm, 双, SPI, 对数, ± 8%, 2.7 V
ADI(亚德诺)
ANALOG DEVICES  ADN2850BCPZ25  非易失性数字电位器, 25 kohm, 双, SPI, 对数, ± 8%, 2.7 V
ADI(亚德诺)
非易失性内存,双通道1024位数字电位器 Nonvolatile Memory, Dual 1024-Position Digital Resistor
ADI(亚德诺)
非易失性内存,双通道1024位可编程电阻器 Nonvolatile Memory, Dual 1024 Position Programmable Resistors
ADI(亚德诺)
非易失性内存,双通道1024位可编程电阻器 Nonvolatile Memory, Dual 1024 Position Programmable Resistors
ADI(亚德诺)
非易失性内存,双通道1024位数字电位器 Nonvolatile Memory, Dual 1024-Position Digital Resistor
ADI(亚德诺)
非易失性内存,双通道1024位数字电位器 Nonvolatile Memory, Dual 1024-Position Digital Resistor
ADI(亚德诺)
非易失性内存,双通道1024位可编程电阻器 Nonvolatile Memory, Dual 1024 Position Programmable Resistors
ADI(亚德诺)
非易失性内存,双通道1024位可编程电阻器 Nonvolatile Memory, Dual 1024 Position Programmable Resistors
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