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ADR423BRZ
器件3D模型
0.01
ADR423BRZ 数据手册 (24 页)
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ADR423BRZ 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
容差
±0.04 %
封装
SOIC-8
输入电压(DC)
18.0V (max)
输出电压
3 V
输出电流
10 mA
供电电流
600 µA
通道数
1 Channel
针脚数
8 Position
输入电压(Max)
18 V
输入电压(Min)
5 V
输出电压(Max)
3 V
输出电压(Min)
3 V
输出电流(Max)
10 mA
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
精度
±0.04 %
额定电压
3 V
输入电压
5V ~ 18V

ADR423BRZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃ (TA)
温度系数
±1 ppm/℃

ADR423BRZ 数据手册

ADI(亚德诺)
24 页 / 0.41 MByte
ADI(亚德诺)
24 页 / 0.44 MByte
ADI(亚德诺)
24 页 / 0.61 MByte

ADR423 数据手册

ADI(亚德诺)
ANALOG DEVICES  ADR423ARZ  电压基准, 超高精密, 低噪, 系列 - 固定, ADR423系列, 3V, NSOIC-8
ADI(亚德诺)
ANALOG DEVICES  ADR423BRZ  电压基准, 超高精密, 低噪, 系列 - 固定, ADR423系列, 3V, NSOIC-8
ADI(亚德诺)
ANALOG DEVICES  ADR423ARMZ  电压基准, 超高精密, 低噪, 系列 - 固定, ADR423系列, 3V, MSOP-8
ADI(亚德诺)
超精密,低噪声, 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET®电压基准 Ultraprecision, Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET® Voltage References
ADI(亚德诺)
超精密,低噪声, 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET®电压基准 Ultraprecision, Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET® Voltage References
ADI(亚德诺)
超精密,低噪声, 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET®电压基准 Ultraprecision, Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET® Voltage References
ADI(亚德诺)
ADI(亚德诺)
超精密低噪声, 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET电压基准 Ultraprecision Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET Voltage References
ADI(亚德诺)
超精密低噪声, 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET电压基准 Ultraprecision Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET Voltage References
ADI(亚德诺)
超精密低噪声, 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET电压基准 Ultraprecision Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET Voltage References
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