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ADR435ARMZ
器件3D模型
21.575
ADR435ARMZ 数据手册 (24 页)
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ADR435ARMZ 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
容差
±0.12 %
封装
MSOP-8
输入电压(DC)
7.00V ~ 18.0V
输出电压
5 V
输出电流
30 mA
供电电流
800 µA
通道数
1 Channel
针脚数
8 Position
输入电压(Max)
20 V
输出电压(Max)
5.006 V
输出电压(Min)
5 V
输出电流(Max)
30 mA
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
精度
±0.12 %
输入电压
7V ~ 18V

ADR435ARMZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
3 mm
宽度
3 mm
高度
0.85 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃
温度系数
±10 ppm/℃

ADR435ARMZ 数据手册

ADI(亚德诺)
24 页 / 1.48 MByte
ADI(亚德诺)
24 页 / 1.06 MByte
ADI(亚德诺)
2 页 / 0.07 MByte
ADI(亚德诺)
5 页 / 0.07 MByte

ADR435 数据手册

ADI(亚德诺)
超低噪声XFET基准电压与电流库和源能力 Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability
ADI(亚德诺)
ANALOG DEVICES  ADR435BRZ.  芯片, 电压基准, 5V
ADI(亚德诺)
5 V,Analog Devices### 电压参考,Analog Devices精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。
ADI(亚德诺)
ANALOG DEVICES  ADR435ARZ  电压基准, 超低噪, 系列 - 固定, ADR435系列, 5V, NSOIC-8
ADI(亚德诺)
5 V,Analog Devices### 电压参考,Analog Devices精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。
ADI(亚德诺)
3.0V 至 4.5V,Analog Devices### 电压参考,Analog Devices精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。
ADI(亚德诺)
超低噪声XFET基准电压与电流库和源能力 Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability
ADI(亚德诺)
ANALOG DEVICES  ADR435TRZ-EP  电压基准, 超低噪, 系列 - 固定, ADR435-EP系列, 5V, NSOIC-8
ADI(亚德诺)
超低噪声XFET基准电压与电流库和源能力 Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability
ADI(亚德诺)
超低噪声XFET基准电压与电流库和源能力 Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability
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