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ADR435TRZ-EP-R7
器件3D模型
69.743
ADR435TRZ-EP-R7 数据手册 (8 页)
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ADR435TRZ-EP-R7 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
容差
±0.04 %
封装
SOIC-8
输出电压
5 V
输出电流
10 mA
供电电流
800 µA
输入电压(Max)
20 V
输出电压(Min)
5 V
输出电流(Max)
10 ma
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
输入电压
7V ~ 18V

ADR435TRZ-EP-R7 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 125℃ (TA)
温度系数
±3 ppm/℃

ADR435TRZ-EP-R7 数据手册

ADI(亚德诺)
8 页 / 0.14 MByte
ADI(亚德诺)
27 页 / 0.27 MByte
ADI(亚德诺)
7 页 / 0.71 MByte

ADR435 数据手册

ADI(亚德诺)
超低噪声XFET基准电压与电流库和源能力 Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability
ADI(亚德诺)
ANALOG DEVICES  ADR435BRZ.  芯片, 电压基准, 5V
ADI(亚德诺)
5 V,Analog Devices### 电压参考,Analog Devices精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。
ADI(亚德诺)
ANALOG DEVICES  ADR435ARZ  电压基准, 超低噪, 系列 - 固定, ADR435系列, 5V, NSOIC-8
ADI(亚德诺)
5 V,Analog Devices### 电压参考,Analog Devices精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。
ADI(亚德诺)
3.0V 至 4.5V,Analog Devices### 电压参考,Analog Devices精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。
ADI(亚德诺)
超低噪声XFET基准电压与电流库和源能力 Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability
ADI(亚德诺)
ANALOG DEVICES  ADR435TRZ-EP  电压基准, 超低噪, 系列 - 固定, ADR435-EP系列, 5V, NSOIC-8
ADI(亚德诺)
超低噪声XFET基准电压与电流库和源能力 Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability
ADI(亚德诺)
超低噪声XFET基准电压与电流库和源能力 Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability
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