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ADR443BRZ
器件3D模型
11.851
ADR443BRZ 数据手册 (25 页)
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ADR443BRZ 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电流
3.75 mA
容差
±0.04 %
封装
SOIC-8
输入电压(DC)
3.50V ~ 18.0V
输出电压
3 V
输出电流
10 mA
供电电流
3.75 mA
通道数
1 Channel
针脚数
8 Position
输入电压(Max)
20 V
输入电压(Min)
3.5 V
输出电压(Max)
3 V
输出电压(Min)
3 V
输出电流(Max)
10 mA
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
输入电压
3.5V ~ 18V

ADR443BRZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Each
工作温度
-40℃ ~ 125℃
温度系数
±3 ppm/℃

ADR443BRZ 数据手册

ADI(亚德诺)
25 页 / 0.48 MByte
ADI(亚德诺)
24 页 / 0.37 MByte
ADI(亚德诺)
21 页 / 0.4 MByte

ADR443 数据手册

ADI(亚德诺)
ANALOG DEVICES  ADR443ARZ  电压基准, 超低噪, 系列 - 固定, ADR443系列, 3V, NSOIC-8
ADI(亚德诺)
ANALOG DEVICES  ADR443BRZ  电压基准, 超低噪, 系列 - 固定, ADR443系列, 3V, NSOIC-8
ADI(亚德诺)
ANALOG DEVICES  ADR443ARMZ  电压基准, 超低噪, 系列 - 固定, ADR443系列, 3V, MSOP-8
ADI(亚德诺)
超低噪声, LDO XFET基准电压与电流吸收和源 Ultralow Noise, LDO XFET Voltage References with Current Sink and Source
ADI(亚德诺)
超低噪声, LDO XFET基准电压与电流吸收和源 Ultralow Noise, LDO XFET Voltage References with Current Sink and Source
ADI(亚德诺)
超低噪声, LDO XFET基准电压与电流吸收和源 Ultralow Noise, LDO XFET Voltage References with Current Sink and Source
Maxim Integrated(美信)
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