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AFT05MS006N
1.918
AFT05MS006N 数据手册 (21 页)
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AFT05MS006N 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
PLD4L

AFT05MS006N 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active

AFT05MS006N 数据手册

NXP(恩智浦)
21 页 / 0.86 MByte
NXP(恩智浦)
12 页 / 0.86 MByte
NXP(恩智浦)
23 页 / 0.96 MByte

AFT05MS006 数据手册

NXP(恩智浦)
晶体管, 射频FET, 30 VDC, 128 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W
Freescale(飞思卡尔)
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 136-941 MHz 6 W 7.5V
NXP(恩智浦)
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