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AFT05MS006NT1 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:

NXP（恩智浦）

分类:

MOS管

封装:

PLD-1

描述:

晶体管, 射频FET, 30 VDC, 128 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

AFT05MS006NT1 数据手册 (21 页)

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AFT05MS006NT1 技术参数、封装参数

类型

描述

频率

520 MHz

引脚数

3 Pin

封装

PLD-1

针脚数

2 Position

功耗

128 W

输出功率

6 W

增益

18.3 dB

测试电流

100 mA

输入电容值(Ciss)

75pF @7.5V(Vds)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

125000 mW

额定电压

30 V

电源电压

7.5 V

AFT05MS006NT1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-40℃ ~ 150℃

AFT05MS006NT1 符合标准

AFT05MS006NT1 海关信息

AFT05MS006NT1 数据手册

AFT05MS006NT1 产品设计参考手册

NXP（恩智浦）

21 页 / 0.86 MByte

AFT05MS006NT1 其他数据使用手册

NXP（恩智浦）

30 页 / 0.29 MByte

AFT05MS006NT1 开发手册

NXP（恩智浦）

25 页 / 1.04 MByte

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AFT05MS006NT1 数据手册

NXP（恩智浦）

晶体管, 射频FET, 30 VDC, 128 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W

AFT05MS006NT1 数据手册

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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 136-941 MHz 6 W 7.5V

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