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AFT09MS015N
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AFT09MS015N 数据手册 (21 页)
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AFT09MS015N 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
PLD4L

AFT09MS015N 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active

AFT09MS015N 数据手册

NXP(恩智浦)
21 页 / 0.86 MByte
NXP(恩智浦)
3 页 / 0.05 MByte
NXP(恩智浦)
18 页 / 0.83 MByte
NXP(恩智浦)
6 页 / 0.86 MByte

AFT09MS015 数据手册

NXP(恩智浦)
晶体管, 射频FET, 40 VDC, 125 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W
Freescale(飞思卡尔)
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 136-941 MHz 16W 12.5V
NXP(恩智浦)
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