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AOD1N60 数据手册 - Alpha & Omega Semiconductor（万代半导体）

制造商:

Alpha & Omega Semiconductor（万代半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

600V,1.3A,N沟道MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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AOD1N60 数据手册 (6 页)

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AOD1N60 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

极性

N-CH

功耗

45 W

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

1.3A

上升时间

6.7 ns

正向电压(Max)

1 V

输入电容值(Ciss)

160pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

45 W

下降时间

11.5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-50 ℃

耗散功率(Max)

45W (Tc)

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AOD1N60 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-50℃ ~ 150℃ (TJ)

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AOD1N60 符合标准

AOD1N60 概述

AOD1N60 数据手册

Alpha & Omega Semiconductor（万代半导体）

6 页 / 0.33 MByte

AOD1N60 其他数据使用手册

Alpha & Omega Semiconductor（万代半导体）

6 页 / 0.1 MByte

AOD1N60 产品设计图

Alpha & Omega Semiconductor（万代半导体）

1 页 / 0.01 MByte

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