￥ 27.03

APT200GN60J 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:

Microsemi（美高森美）

分类:

IGBT晶体管

封装:

SOT-227-4

描述:

功率半导体功率模块射频功率MOSFET Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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APT200GN60J 数据手册 (6 页)

封装尺寸在6 页

APT200GN60J 数据手册 (6 页)

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APT200GN60J 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Chassis

引脚数

4 Pin

封装

SOT-227-4

功耗

682 W

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

输入电容值(Cies)

14.1nF @25V

额定功率(Max)

682 W

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

682000 mW

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APT200GN60J 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

38.2 mm

宽度

25.4 mm

高度

9.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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APT200GN60J 符合标准

APT200GN60J 海关信息

APT200GN60J 数据手册

Microsemi（美高森美）

6 页 / 0.47 MByte

APT200GN60J 产品设计参考手册

Microsemi（美高森美）

12 页 / 1.03 MByte

APT200GN60J 其他数据使用手册

Microsemi（美高森美）

6 页 / 0.46 MByte

APT200GN60J 产品手册

Microsemi（美高森美）

40 页 / 4.07 MByte

APT200GN60J 其他参考文件

Microsemi（美高森美）

1 页 / 0.13 MByte

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